电子元器件——安森美推出 EliteSiC M3e MOSFET 作为其最新一代碳化硅技术平台

发表日期：2024-07-19

IC芯片网www.icxpw.com了解，面对不断升级的气候危机和全球能源需求的急剧上升，各国政府和各行业正致力于制定雄心勃勃的气候目标，旨在减轻环境影响并确保可持续的未来。这些努力的关键是向电气化过渡，以减少碳排放并利用可再生能源。

为了加速这一全球转型，位于美国亚利桑那州斯科茨代尔的智能功率和传感技术公司 onsemi 推出了 EliteSiC M3e MOSFET 作为其最新一代碳化硅技术平台，目前已开始提供采用行业标准 TO-247-4L 封装的样品。该公司还透露，计划在 2030 年前推出多代产品。

电气化的未来取决于先进的功率半导体。如果没有电力领域的重大创新，当今的基础设施就无法满足世界对更多智能和电气化出行的需求。这对于实现全球电气化和阻止气候变化的能力至关重要，”安森美半导体电源解决方案集团总裁。 Simon Keeton 表示。“我们正在引领创新步伐，计划到 2030 年大幅提高碳化硅技术路线图中的功率密度，以满足日益增长的能源需求并实现全球向电气化的过渡。”

IC芯片网-IC芯片电子元器件采购平台认为，www.icxpw.com其 EliteSiC M3e MOSFET 将在以更低的每千瓦成本实现下一代电气系统的性能和可靠性方面发挥重要作用，影响电气化计划的采用和有效性。该平台能够在更高的开关频率和电压下工作，同时最大限度地减少功率转换损耗，适用于各种汽车和工业应用，如电动汽车动力系统、直流快速充电器、太阳能逆变器和储能解决方案。此外，Onsemi 补充说，EliteSiC M3e MOSFET 可以实现向更高效、更高功率的数据中心的过渡，以满足为可持续人工智能引擎提供动力的指数级增长的能源需求。

平台实现效率飞跃

Onsemi 表示，凭借其设计工程和制造能力，EliteSiC M3e MOSFET 在经过现场验证的平面架构上实现了传导和开关损耗的显著降低。与前几代产品相比，该平台可将传导损耗降低 30%，关断损耗降低高达 50%（基于内部测试，与 EliteSiC M3T MOSFET 相比）。通过延长 SiC 平面 MOSFET 的使用寿命，并借助 EliteSiC M3e 技术实现业界领先的性能，Onsemi 表示可以确保该平台在关键电气化应用中的稳健性和稳定性。

EliteSiC M3e MOSFET 还提供了业界最低的导通电阻 (R SP ) 和短路能力，www.icxpw.com这对于在 SiC 领域占据主导地位的牵引逆变器市场至关重要。1200V M3e IC芯片采用安森美半导体的分立和功率模块封装，可提供比之前的 EliteSiC 技术大得多的相电流，从而在相同的牵引逆变器外壳中输出功率增加约 20%。相反，现在可以用减少 20% 的 SiC 含量来设计固定功率水平，从而节省成本，同时实现更小、更轻、更可靠的系统设计。

此外，安森美半导体还提供更广泛的智能电源技术组合，包括栅极驱动器、DC-DC 转换器和电子保险丝，以与 EliteSiC M3e 平台配合使用。安森美半导体端到端的优化、共同设计的电源开关、驱动器和控制器组合据称可通过集成实现高级功能，从而降低整体系统成本。

加速 EliteSiC 产品开发路线图

IC芯片网-电子元器件采购平台预计未来十年全球能源需求将会飙升，对提高半导体IC功率密度的需求至关重要。安森美半导体表示，其碳化硅发展路线图的创新——从芯片架构到新颖的封装技术——将继续满足整个行业对提高功率密度的需求。

随着每一代碳化硅的推出，单元结构都将得到优化，以有效地将更多的电流通过更小的面积，从而提高功率密度。安森美半导体表示，结合公司的封装技术，它将能够最大限度地提高性能并减小封装尺寸。安森美半导体表示，通过将摩尔定律的概念应用于碳化硅的开发，它可以同时开发多代产品，并加速其路线图，以更快的速度在 2030 年前将几款新的 EliteSiC 产品推向市场。

onsemi 电源解决方案集团技术营销高级总监 Mrinal Das 博士表示：“我们正在利用数十年的功率半导体经验，突破工程和制造能力的速度和创新界限，以满足不断增长的全球能源需求。”“碳化硅的材料、器件和封装之间存在巨大的技术相互依赖性。完全掌握这些关键方面使我们能够控制设计和制造过程，并更快地将新一代产品推向市场。”

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